為解決太陽能單晶、多晶少子壽命測量，特按照標GB/T1553及SEMI MF-1535用頻光電導法研制出了數(shù)字式少子壽命測試儀。

產(chǎn)品型號：DP-LT-100C

更新時間：2016-09-30

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專用儀器儀表

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數(shù)字式硅晶體少子壽命測試儀型號：DP-LT-100C

為解決太陽能單晶、多晶少子壽命測量，特按照標GB/T1553及SEMI MF-1535用頻光電導法研制出了數(shù)字式少子壽命測試儀。

該設備是按照家標準GB/T1553“硅單晶少數(shù)載流子壽命測定的頻光電導衰減法”。頻光電導衰減法在我半導體集成電路、晶體管、整流器件、核探測器行業(yè)已運用了三十多年，積累了豐富的使用經(jīng)驗，經(jīng)過數(shù)次十多個單位巡回測試的考驗，證明是種成熟可靠的測試方法，特別適合于硅塊、硅棒研磨面的少子體壽命測量；也可對硅片行測量，給出相對壽命值。方法本身對樣品表面的要求為研磨面，制樣簡便。

DP-LT-100C數(shù)字式硅晶體少子壽命測試儀有以下特點：

1、可測量太陽能級多晶硅塊、單晶硅棒少數(shù)載流子體壽命。表面無需拋光，直接對切割面或研磨面行測量。同時可測量多晶硅檢驗棒及集成電路、整流器、晶體管級硅單晶的少子壽命。

2、可測量太陽能級單晶及多晶硅片少數(shù)載流子的相對壽命，表面無需拋光、鈍化。

3、配備軟件的數(shù)字示波器，液晶屏上直接顯示少子壽命值，同時顯示動態(tài)光電導衰退波形，并可聯(lián)用打印機及計算機。

4、配置兩種波長的紅外光源：

a、紅外光源，光穿透硅晶體深度較深≥500μm，有利于準確測量晶體少數(shù)載流子體壽命。

b、短波長紅外脈沖激光器，光穿透硅晶體深度較淺≈30μm，但光強較強，有利于測量低阻太陽能級硅晶體。

5、測量范圍寬廣

測試儀可直接測量：

a、研磨或切割面：電阻率≥0.3Ω•㎝的單晶硅棒、定向結(jié)晶多晶硅塊少子體壽命，切割片的少子相對壽命。

b、拋光面：電阻率在0.3～0.01Ω•㎝范圍內(nèi)的硅單晶、鍺單晶拋光片。

壽命可測范圍 0.25μS—10ms

溫濕度計

商品名稱：數(shù)字式干濕溫度測試儀/干濕溫度測試儀/數(shù)字式干濕溫度檢測儀/數(shù)字式干濕溫度測定儀
商品型號：DP-JTR15

數(shù)字式干濕溫度測試儀/干濕溫度測試儀/數(shù)字式干濕溫度檢測儀/數(shù)字式干濕溫度測定儀 型號：DP-JTR15

數(shù)字式干濕溫度測試儀/干濕溫度測試儀/數(shù)字式干濕溫度檢測儀/數(shù)字式干濕溫度測定儀說明：
DP-JTR15干濕溫度測試儀是我公司自主開發(fā)的度溫度測試儀器，可同時測試自然濕溫度及空氣溫度。
應用域：勞動場所監(jiān)測、公共場所在線測試、環(huán)境溫度監(jiān)測、建筑節(jié)能、教學實驗
數(shù)字式干濕溫度測試儀/干濕溫度測試儀/數(shù)字式干濕溫度檢測儀/數(shù)字式干濕溫度測定儀特點：
1、可同時測試自然濕溫度和空氣溫度
2、各通道同步采集、自動存儲傳感器
3、支架可安裝在常用三腳架上，解決了現(xiàn)場測試的放置問題
4、不銹鋼金屬封裝溫度傳感器，測試穩(wěn)定
5、傳感器采用標準插頭形式，連接簡單
6、軟件依據(jù)相關標準具有自動統(tǒng)計能
數(shù)字式干濕溫度測試儀/干濕溫度測試儀/數(shù)字式干濕溫度檢測儀/數(shù)字式干濕溫度測定儀參數(shù)：
1、測量范圍：-20～85℃
2、測量度：±0.5℃（常溫可達±0.2℃）
3、溫度分辨率：0.1℃
4、響應時間：<2S
5、存儲時間間隔：1—255分鐘
6、數(shù)據(jù)存儲量：2000組
7、通訊接口：迷你USB
8、電源：標準9V電池